イグナイター製作法 - 東工大ロケットサークルCREATE

　ここではイグナイターの自作方法を紹介します。イグナイターはよくモジュールで販売されていますが、簡単な方法でより安価な高電圧発生回路を製作することができます。製作する回路は電圧が数kV~数十kVになるので扱いには十分注意する必要があります。

 

↓　動作の様子

www.youtube.com/watch

 

仕組み

　イグニッションコイルの電磁誘導により高電圧を発生させます。入力1次側では発振ICを利用した高速スイッチングを行い、2次側が高電圧によりスパークします。

 

部品リスト

 

イグニッションコイル L	1個
NE555NタイマーIC+ソケットU1	1個
NチャネルMOSFET M1	1個
12V三端子レギュレータ	1個
抵抗100[Ω] R5	1個
抵抗1[kΩ] R1,R3,R7	3個
抵抗2[kΩ] R6	1個
半固定抵抗10[kΩ] R2,R4	2個
セラミックコンデンサ0.01[μF] C1	1個
セラミックコンデンサ0.1[μF] C2	1個
アルミ電解コンデンサ47[μF] C3	1個
ダイオード D2	1個
LED D1	1個
ヒートシンク	1個

 

上のイグニッションコイルは￥650ほど。通販などで購入できる。

 

回路の合計金額は￥1000ほど。

 

回路図

クリックで拡大 ↓

・２つの半固定抵抗で発振周波数(火力)を調整できる。適当に合わせる

・R1とR3は可変抵抗を0[Ω]にしてしまった場合の保護抵抗

・FETのゲート端子抵抗R5およびR7はFETの故障防止用

・回路には電流がかなり流れるため、大電力を扱えるパワーMOSFETが良い

・D2はFETの保護ダイオード。コイルのスイッチングによる逆電圧発生からFETを保護する

・LED：D1は電源入力時(点火時)に点灯する。

 

 

 

注意

・FETはかなり発熱する。ヒートシンクは必須

・電源容量の大きいバッテリや電流を多く流せる電源を使用する。小型バッテリ不可

・高電圧電流のロスを減らすために、出力側のイグニッションワイヤは短くする

・基板上は高電圧にはならないが、イグニッションコイルはアーク放電が起きるほどの電圧になる。感電と火傷に十分注意する。